擒牛网长鑫效应：中国“海力士”的“朋友圈”

记者郑晨烨

在当前这一轮半导体繁荣周期中，长鑫科技集团股份有限公司（下称"长鑫科技"）是国内体量最大的 DRAM（动态随机存取存储器）扩产主体之一。

5 月 17 日，长鑫科技更新后的科创板 IPO 招股书显示，2026 年一季度，该公司实现营收 508 亿元，实现归母净利润 247.6 亿元，并预计 2026 年上半年归母净利润为 500 亿至 570 亿元。

作为比较，同样是 2026 年一季度，SK 海力士（000660.KS）营收折合人民币约 2700 亿元，三星电子（005930.KS）存储芯片业务营收折合人民币约 3800 亿元。也就是说，长鑫科技 508 亿元的季度营收，已经相当于 SK 海力士同期的约五分之一。

从业务结构看，长鑫科技和 SK 海力士有明显的相似性，两者都是以 DRAM 为核心的 IDM 厂商（垂直整合制造商，集芯片设计、晶圆制造、封装测试于一体），区别在于 SK 海力士约三成营收来自 NAND 闪存（非易失性存储芯片），长鑫科技目前则是一家纯粹的 DRAM 公司。

或者说，在某种程度上，长鑫科技正在成为中国的"海力士"。

全球存储行业由三星、SK 海力士和美光科技（MU.NASDAQ）主导了十余年，长鑫科技是过去十余年来最接近行业头部位置的新进入者。

一块 DRAM 芯片的制作流程相当复杂，从硅片到成品，要经过刻蚀、薄膜沉积、化学机械抛光、清洗、检测等数百道工序，每一道工序对应一类专用设备和一批特定材料。

从招股书信息看，长鑫科技能完成从 DDR4（第四代双倍数据速率内存）到 DDR5（第五代）的全面产品切换，并把毛利率从两年前的 -112% 拉到 40% 以上，营收体量快速放大，前提是其背后的供应链能够同步支撑。

在半导体设备行业工作多年的工程师蒋彬告诉经济观察报记者，过去国产设备最缺的是在量产产线上验证的机会，而长鑫科技和长江存储的大规模扩产，正在给国产设备厂商提供这个机会。

工序背后的设备商

制造一块 DRAM 芯片，主要流程可以简化为：在硅片上反复沉积薄膜、用光刻定义电路图案、用刻蚀去除多余部分、用化学机械抛光（CMP）把表面磨平，再进行离子注入、清洗、检测。

整个过程涉及数百道工序，每一道都需要专用设备。

一位长期关注半导体设备的投资人告诉经济观察报记者，在 DRAM 产线的设备资本开支中，刻蚀和薄膜沉积设备合计约占 50%，是份额最大的两类；其次是光刻设备，再次是量测检测设备（对芯片上的薄膜厚度、线宽、缺陷等进行精密测量和检查的设备），其中量测检测约占设备总开支的 12% 至 15%。这些设备过去长期依赖进口。

尽管应用材料（Applied Materials）、泛林集团（Lam Research）、东京电子（TEL）等美日厂商仍然占据了全球半导体设备市场的主要份额，但在过去的几年里，国产设备在国内存储产线上的渗透率正在快速提升。

一位接近长鑫科技的产业链人士告诉经济观察报记者，长鑫科技目前的国产设备整体占比大约在四成到五成之间。根据公开信息，长江存储科技有限责任公司（下称 " 长江存储 "）的情况也可以作为参照：其武汉三期工厂中，国产设备的采购占比已过半，刻蚀、薄膜沉积、清洗、检测等核心工序的国产化率更是超过了 60%。

该名产业链人士表示，这样的国产化率在行业里算相当高的，国内多数晶圆厂的国产设备占比要低于这个水平。

但长鑫科技和长江存储的国产设备占比，在各个生产环节的分布并不均匀。前述投资人告诉记者，CMP 和清洗设备的国产化率已经比较高，刻蚀和薄膜沉积设备也正处在快速渗透阶段，但量测检测、涂胶显影等环节的国产化率仍然偏低，提升空间也最大。

在各类设备中，刻蚀设备的用量和金额占比都比较大。刻蚀的工作原理是用等离子体或化学气体在芯片上"雕刻"出电路需要的沟槽和线条。沟槽刻得越深、越窄，技术难度越高，业内用"深宽比"来衡量这项指标——深宽比越大，意味着设备的精度和控制能力越强。

北方华创（002371.SZ）是目前国内覆盖品类最全的半导体设备公司之一，产品线横跨刻蚀、薄膜沉积、热处理、湿法清洗、离子注入等多个环节。其财报数据显示，2025 年，北方华创的刻蚀设备和薄膜沉积设备收入均超过百亿元；同年，北方华创的立式炉和 PVD 设备（PVD 即物理气相沉积，用于在芯片上镀上金属薄膜）交付数量双双突破 1000 台。

在 5 月 15 日的业绩说明会上，北方华创董事长赵晋荣在回应投资者关于国产化率的提问时表示，国内各地新建晶圆产线整体设备国产化率持续抬升，逻辑芯片（CPU、GPU 等处理器）、存储芯片、功率半导体（用于电力转换和管理的芯片）、特色工艺等各类产线的国产化均在加速导入。

中微公司（688012.SH）是国内另一家主要的刻蚀设备厂商。根据该公司 2026 年一季报，其自主开发的超高深宽比刻蚀机已有 300 多台反应器（刻蚀设备中实际执行刻蚀工艺的核心单元）在存储产线实现量产，下一代 90:1 超高深宽比低温刻蚀设备也已送至客户端验证，第二代 ICP（电感耦合等离子体）刻蚀设备在 3D DRAM 应用中取得了 140:1 的刻蚀结果。

90:1 和 140:1 是什么概念？记者在采访中了解到，在一片硅片上刻出一条沟槽，沟槽的宽度不到头发丝的万分之一，而深度是宽度的 90 倍甚至 140 倍。这对设备的精度和稳定性要求极高——刻得不够深，电路结构不完整；刻偏了哪怕几纳米，整片晶圆就可能报废。

DRAM 芯片每升级一代，电容器的结构就要往更深处做，对刻蚀设备的深宽比要求也随之提高。前述投资人告诉记者，能做到 140:1 的深宽比，意味着设备已经能够支撑最新一代 DRAM 的制造需求。

除了刻蚀设备，薄膜沉积设备的国产化率增速也比较快。

薄膜沉积设备负责在硅片上一层层"生长"出功能性薄膜。在 DRAM 制造过程中，电容器是存储数据的核心结构，电容器中的两层关键薄膜，电极材料层和高介电常数介质层，需要用原子层沉积（ALD）设备来制备。

ALD 的特点是以单个原子的厚度为单位逐层沉积，精度极高。

拓荆科技（688072.SH）是国内主要的薄膜沉积设备厂商。财报显示，2026 年一季度，该公司实现营收 11.12 亿元，同比增长 57%，实现归母净利润 5.71 亿元，同比扭亏为盈。2025 年全年，该公司的 PECVD（等离子体增强化学气相沉积，一种在芯片上沉积介质薄膜的工艺）设备收入 51.42 亿元，同比增长 75%；ALD 设备收入 3.01 亿元，同比增长 192%。截至 2025 年底，拓荆科技累计出货超过 3400 个反应腔，进入约 100 条芯片生产线。

公开信息显示，2025 年 9 月，国家大基金三期将其成立以来的首个产业投资项目落在了拓荆科技的子公司拓荆键科，后者专注于先进键合设备的研发。

在刻蚀和薄膜沉积之外，化学机械抛光（CMP）和测试同样是 DRAM 制造中不可缺少的环节。其中，CMP 的作用是在每一层电路完成后，把晶圆表面磨到纳米级的平整度，如果表面不够平，后续的光刻和沉积工序就无法精确进行。

根据华海清科（688120.SH）公告，2026 年 4 月，该公司第 1000 台 CMP 装备出机。华海清科在 2025 年度业绩说明会上表示，公司 CMP 装备已广泛应用于逻辑芯片、3D NAND、DRAM 等主流工艺平台，在国内 12 英寸先进生产线的覆盖率和市场占有率持续提升，占据国产 CMP 装备销售 90% 以上份额。

测试环节的变化也值得关注。测试是芯片出厂前的最后一道关卡，每一颗 DRAM 芯片都要在测试机上完成一遍完整的功能验证，不合格的直接淘汰，测试机的速率决定了它能不能在芯片的实际工作频率下完成信号的收发和比对。

目前 DDR5 内存的数据传输速率已达到每秒数十亿比特的级别，测试机的速率必须匹配甚至超过这个水平，否则无法准确检出缺陷。

2026 年 1 月，精智达（688627.SH）签下 13.11 亿元的半导体测试设备合同，覆盖 DRAM 和 HBM（高带宽内存）全流程测试。精智达自主研发的高速 FT（成品功能测试）测试机速率达到每秒 90 亿比特，超过了日本爱德万（Advantest，全球最大的半导体测试设备厂商之一）主力机型每秒 80 亿比特的水平。

根据精智达年报，2025 年，该公司半导体测试设备收入同比增长超过 150%，已取代显示检测成为公司第一大业务。

前述投资人告诉记者，长鑫科技 2026 年二季度已开启新一轮设备招投标，全年计划扩产约 5 万至 6 万片晶圆，对应的设备采购需求或在 350 亿至 430 亿元人民币。此外，长鑫科技在招股书中披露的 IPO 募投项目中，设备购置及安装费合计 220.66 亿元；另有公开信息显示，长江存储 2 号厂房的工艺设备采购及安装项目也已于 5 月启动招标。

眼下，两家国内存储龙头同步进入了设备采购的密集期，对国产半导体设备厂商来说，好日子可能才刚刚开始。

从前驱体到抛光液

设备是一次性投入，进入产线后可以运行多年，但材料不同，每一片芯片晶圆在制造过程中都要持续消耗化学品、气体、光阻剂、靶材等各类原料，产能越大，消耗越多。

一位长期关注存储产业链的券商分析师告诉经济观察报记者，围绕存储扩产的投资传导，通常是设备先行，材料随后，产能建起来之后，耗材的用量提升非常明显。

长鑫科技在招股书中完整披露了其原材料的采购情况：2025 年，原材料采购总额约 114.7 亿元。按品类拆分：化学品（用于清洗和湿法工艺）占比最大，为 37.29%；光阻剂（光刻工序中定义电路图案的感光材料）占 12.16%；硅片（芯片制造的基底材料）占 8.55%；电子特气（刻蚀和沉积工序使用的高纯气体）占 5.10%；靶材（物理气相沉积工序使用的高纯金属材料）占 2.21%。

在这些材料中，前驱体是 DRAM 产线用量最大的特种化学品之一。前驱体是薄膜沉积工序使用的化学原料，在 ALD 和 CVD（化学气相沉积）设备中，前驱体被加热分解后在芯片表面生成所需的薄膜。DRAM 芯片中电容器的制造大量依赖前驱体，而且工艺每升级一代，薄膜的层数和种类都会增加，前驱体的用量随之上升。

雅克科技（002409.SZ）是国内半导体前驱体材料领域规模最大的公司之一，其产品覆盖高介电常数材料（一种用于制造电容器绝缘层的特殊介质，介电常数越高，电容器在更小的面积上能存储的电荷就越多）、硅基材料和金属材料等多个品类。

2025 年全年，雅克科技营收 86.11 亿元，同比增长 25.49%。根据雅克科技公开披露的信息，其江苏工厂的前驱体国产化项目目前已有产品通过客户端验证，正在转入批量试生产。

CMP（化学机械抛光）是芯片制造中实现晶圆表面平整化的关键工序。每做完一层电路，晶圆表面就会变得凹凸不平，CMP 的原理是用一块旋转的抛光垫配合抛光液，同时利用化学腐蚀和机械研磨两种作用，把表面磨到纳米级的平整度。如果晶圆表面不够平，下一层电路的光刻就对不准，整片晶圆的良率都会受影响。芯片有多少层电路，CMP 就要做多少次，抛光液是这道工序中最主要的消耗品。

安集科技（688019.SH）是国内 CMP 抛光液的龙头企业，2026 年一季度，安集科技营收 7.24 亿元，同比增长 32.76%，创下单季度新高。根据安集科技在一季报中的表述，其多款钨抛光液已在存储芯片先进制程通过验证，并持续上量。

晶圆制造还需要大量高纯度的特种气体。比如刻蚀工序要用到六氟化钨、三氟化氮等含氟气体，薄膜沉积要用到硅烷、氨气等反应气体，清洗工序则需要高纯氮气和氩气。这些气体的纯度要求极高，通常在 99.999%（业内称" 5 个 9 "）以上，任何微量杂质都可能导致芯片缺陷。

由于用量大且纯度要求苛刻，晶圆厂通常不会外购瓶装气体，而是由专业供应商直接在厂区内建设制气站，就地生产、管道输送。

电子特气按供应方式可以分为两类。一类是瓶装特种气体，如高纯六氟化钨、三氟化氮、硅烷等，由气体公司在工厂集中生产后以钢瓶或槽车形式配送到晶圆厂，国内的主要供应商包括华特气体（688268.SH）、金宏气体（688106.SH）等。

另一类是现场制气，即由气体供应商直接在晶圆厂厂区内建设制气站，就地生产氮气、氩气等大宗气体并通过管道输送到各个工序，现场制气领域长期由林德（Linde）、法液空（Air Liquide）和空气化工（Air Products）三家海外公司主导，近年来广钢气体、正帆科技（688596.SH）等国内企业开始进入头部晶圆厂的供应体系。

不过，前述投资人也告诉记者，目前能在 12 英寸先进存储产线上提供现场制气服务的国内企业仍然很少，这个领域的国产化率在所有材料品类中是比较低的。

尽管各品类的国产化进度不同，但国产供应商的导入已经在产生实际效果。长鑫科技在招股书中披露了主要原材料的采购单价变化，以 2023 年为基准，到 2025 年，硅片的采购单价下降约 30%，靶材下降约 22%，备件下降接近 47%，化学品下降约 26%，几乎所有品类的采购成本都在走低。

长鑫科技在招股书中将"加大国产供应商导入力度"列为降本增效的措施之一。其背后逻辑也很简单：长鑫科技的产能越大，对上游材料的采购量就越大；材料厂商的出货规模扩大后，单位成本随之下降，报价也可以跟着降。

对长鑫科技来说，导入国产供应商可以同时改善两件事——供应链安全和采购成本。

国产设备"钱景"打开

在采访过程中，多位业内人士向经济观察报记者表达了同一个观点：国产半导体设备和材料公司过去面临的最大困难，除了技术积累和资金投入，最关键的是缺少在产线上验证的机会。

深圳一家存储芯片企业的市场负责人周勇辉就告诉记者，这个"一根筋两头堵"的问题卡了行业很多年——国产设备拿不到大客户的订单，就没有足够的收入支撑持续的研发投入；没有持续的研发投入，产品性能就追不上海外厂商；产品性能追不上，就更拿不到订单。

例如，一台新的刻蚀机或薄膜沉积设备，从进入晶圆厂到通过全部工艺验证，通常需要一到两年。在这个过程中，设备厂商要派工程师常驻客户产线，根据实际工况反复调整参数，直到设备在客户的工艺环境中稳定运行，才算完成验证。

一位在半导体设备行业工作多年的工程师蒋彬告诉经济观察报记者，在国产存储大厂起来之前，国内大多数晶圆厂更倾向于采购海外已经过验证的成熟设备。原因很简单，一台未经充分验证的设备上了产线，一旦出问题，影响的是整条产线的良率和交付，没有哪家晶圆厂愿意为此承担风险。

或者说，国产设备缺的不是技术潜力，而是愿意给它验证机会的大客户。

长鑫科技正在填补这个空缺。长鑫科技在招股书中有如下一段明确表述："公司规模化生产需求为设备、材料等上游企业提供了重要的技术验证和商业化应用机会，推动上游供应链构建更加成熟的市场供给能力。"

前述接近长鑫科技的产业链人士告诉经济观察报记者，很多国产半导体设备和材料厂商这几年能够有比较快地成长，和长鑫科技、长江存储持续提供产线验证机会有直接关系，这两家公司的产线实际上充当了国产设备从"能用"到"好用"的核心验证平台。

这种验证一旦完成，后续的放量就会很快。前述投资人解释了其中的原因：存储芯片的制造和逻辑芯片不同。逻辑芯片厂需要为不同客户的不同芯片分别调试工艺，设备的适配工作比较复杂；存储芯片则使用标准化的制造平台，同一代平台上生产的所有产品，使用的是同一套设备配置和工艺参数，一旦国产设备在某一代平台完成验证和导入，后续的产能扩张就是按同一套方案复制，设备的放量速度非常快。

该投资人还告诉记者，长鑫科技全部产线的国产设备综合占比虽然已经到了四五成，但这个数字包含了此前几代平台上陆续导入的设备。单看目前量产的第四代工艺平台，国产设备的参与比例可能还不到 20%。不过，长鑫科技正在开发的新一代平台，国产设备和材料厂商的参与度大幅提升，国产化比例有望超过 40%。

从不到 20% 到超过 40%，这个变化的含义是，长鑫科技接下来每新增 1 万片晶圆的月产能，国产设备厂商能拿到的订单份额，大约是过去的两倍。

那么，长鑫科技还需要新增多少产能？根据长鑫科技在招股书中的披露，截至 2025 年底，该公司月产能约 28 万至 29 万片 12 英寸晶圆。上述投资人据此估算，按照中国大陆的 DRAM 消费量，长鑫科技的月产能至少需要扩张到 80 万片，才能覆盖国内需求的相当一部分。

从 29 万片到 80 万片，中间约有 50 万片的缺口。按照行业惯例，每新增 1 万片月产能大约需要 70 多亿元人民币的设备投资。

长鑫科技在招股书的 75 亿元量产线升级改造项目中亦强调："同步实施本土及新型设备、材料、零部件等的导入及合作，促进产业链、供应链本土化、多元化。"

根据市场研究机构 Omdia 的数据，全球 DRAM 市场规模预计将从 2025 年的 1505 亿美元增长至 2030 年的 5710 亿美元，年均复合增长率超过 30%。该机构数据还显示，长鑫科技 2026 年一季度的全球 DRAM 份额已达 9.7%，而 2025 年二季度这个数字还只有 3.97%。

长鑫科技在招股书中称，"充分发挥产业链链主引领作用，推动供应链本土化、多元化"。在其 IPO 拟募资的 295 亿元中，220 亿元用于设备采购。

也就是说，如果新一代工艺平台的国产化率真的超过 40%，那么仅长鑫科技这一笔 IPO 募投，就将为国产设备公司带来近百亿元的订单。另外，如果月产能从 29 万片扩张到 80 万片，对应的设备投资额可能高达数千亿元。

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